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IRLL110TR

IRLL110TR

IRLL110TR

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

IRLL110TR Fiche de données

compliant

IRLL110TR Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.5A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4V, 5V
rds activé (max) à id, vgs 540mOhm @ 900mA, 5V
vgs(th) (max) à id 2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 6.1 nC @ 5 V
vgs (max) ±10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 250 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-223
paquet / étui TO-261-4, TO-261AA
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Numéro de pièce associé

FQP7N10
FQP7N10
$0 $/morceau
BSO200P03SNTMA1
NVMFS5C612NLWFT3G
NVMFS5C612NLWFT3G
$0 $/morceau
FQP5P20
FQP5P20
$0 $/morceau
FQP4P25
FQP4P25
$0 $/morceau
AOD4158P
RFD14N05SM
BUK9535-55A,127
IXFH12N100Q
IXFH12N100Q
$0 $/morceau
IPI120N06S4H1AKSA2

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