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SI1012R-T1-GE3

SI1012R-T1-GE3

SI1012R-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A

non conforme

SI1012R-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.15320 -
6,000 $0.14440 -
15,000 $0.13560 -
30,000 $0.12504 -
75,000 $0.12064 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 500mA (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.8V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 700mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (max) à id 900mV @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 0.75 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±6V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 150mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SC-75A
paquet / étui SC-75, SOT-416
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Numéro de pièce associé

IPD65R950C6ATMA1
SI7423DN-T1-E3
SI7423DN-T1-E3
$0 $/morceau
FQP9N25
FQP9N25
$0 $/morceau
IPD50R280CEAUMA1
APTM100UM45FAG
IRFR2405TRLPBF
2SK2803
2SK2803
$0 $/morceau
STB40NF20
STB40NF20
$0 $/morceau
APT6017JFLL

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