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SI1416EDH-T1-GE3

SI1416EDH-T1-GE3

SI1416EDH-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363

compliant

SI1416EDH-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.14746 -
6,000 $0.13899 -
15,000 $0.13052 -
30,000 $0.12035 -
75,000 $0.11612 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3.9A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 58mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max) à id 1.4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.8W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SC-70-6
paquet / étui 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Numéro de pièce associé

IRFR7446TRPBF
IRFR110TRLPBF-BE3
NVMJS1D0N04CTWG
NVMJS1D0N04CTWG
$0 $/morceau
SCT3040KLGC11
FQB3N60CTM
FDD6670A
FDD6670A
$0 $/morceau
IRF9510PBF
IRF9510PBF
$0 $/morceau
DMT6011LSS-13
2SK2628LS
2SK2628LS
$0 $/morceau
SI7716ADN-T1-GE3

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