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SI1417EDH-T1-E3

SI1417EDH-T1-E3

SI1417EDH-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6

compliant

SI1417EDH-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 12 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.7A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.8V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 85mOhm @ 3.3A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 450mV @ 250µA (Min)
charge de porte (qg) (max) @ vgs 8 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SC-70-6
paquet / étui 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Numéro de pièce associé

IRFP354PBF
IRFP354PBF
$0 $/morceau
IXTK80N25
IXTK80N25
$0 $/morceau
STL150N3LLH5
STL150N3LLH5
$0 $/morceau
IRL3103STRL
AON7402
STP8NM60D
STP8NM60D
$0 $/morceau
IPI041N12N3G
IPS135N03LGAKMA1
IRFR3412TRPBF

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