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SI1441EDH-T1-GE3

SI1441EDH-T1-GE3

SI1441EDH-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363

compliant

SI1441EDH-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.20758 -
6,000 $0.19493 -
15,000 $0.18228 -
30,000 $0.17342 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.8V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 41mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 33 nC @ 8 V
vgs (max) ±10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.8W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SC-70-6
paquet / étui 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Numéro de pièce associé

STFW42N60M2-EP
IXTF200N10T
IXTF200N10T
$0 $/morceau
STF140N6F7
STF140N6F7
$0 $/morceau
STP34NM60ND
STP34NM60ND
$0 $/morceau
MCB85N06Y-TP
IXFK220N15P
IXFK220N15P
$0 $/morceau
NTMS4801NR2G
NTMS4801NR2G
$0 $/morceau
SQ4005EY-T1_BE3
PJF7NA80_T0_00001

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