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SI1480DH-T1-GE3

SI1480DH-T1-GE3

SI1480DH-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6

compliant

SI1480DH-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.19855 -
6,000 $0.18645 -
15,000 $0.17435 -
30,000 $0.16588 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.6A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 200mOhm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 130 pF @ 50 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SC-70-6
paquet / étui 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Numéro de pièce associé

NX3020NAK,215
NX3020NAK,215
$0 $/morceau
RM830
RM830
$0 $/morceau
CSD18541F5T
CSD18541F5T
$0 $/morceau
SFI9Z14TU
FQI7N10LTU
NTZS3151PT1H
NTZS3151PT1H
$0 $/morceau
ISC007N04NM6ATMA1
IRFH6200TRPBF

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