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SI1912EDH-T1-E3

SI1912EDH-T1-E3

SI1912EDH-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6

non conforme

SI1912EDH-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.13A
rds activé (max) à id, vgs 280mOhm @ 1.13A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 450mV @ 100µA (Min)
charge de porte (qg) (max) @ vgs 1nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 570mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
package d'appareils du fournisseur SC-70-6
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Numéro de pièce associé

2N7002V-TP
2N7002V-TP
$0 $/morceau
FDS4953
FDS4953
$0 $/morceau
SUD50NP04-77P-T4E3
SI1913EDH-T1-E3
FG6943010R
SP8K32FRATB
SP8K32FRATB
$0 $/morceau
SIA912DJ-T1-GE3
FC8V22040L
IRF7105PBF
SP8M6FRATB
SP8M6FRATB
$0 $/morceau

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