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SI1922EDH-T1-GE3

SI1922EDH-T1-GE3

SI1922EDH-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363

compliant

SI1922EDH-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.16245 -
6,000 $0.15255 -
15,000 $0.14265 -
30,000 $0.13572 -
75,000 $0.13500 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.3A
rds activé (max) à id, vgs 198mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 2.5nC @ 8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1.25W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
package d'appareils du fournisseur SC-70-6
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Numéro de pièce associé

DMN2024UVT-7
FDG6317NZ
FDG6317NZ
$0 $/morceau
PJQ4606_R1_00001
FDMD8240LET40
FDMD8240LET40
$0 $/morceau
SIA913ADJ-T1-GE3
PMGD175XNEX
PMGD175XNEX
$0 $/morceau
ZXMP6A17DN8QTC
DMN61D8LVT-13
SP001017058
CSD88537ND
CSD88537ND
$0 $/morceau

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