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SI1965DH-T1-E3

SI1965DH-T1-E3

SI1965DH-T1-E3

MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

non conforme

SI1965DH-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.19855 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 P-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 12V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.3A
rds activé (max) à id, vgs 390mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 4.2nC @ 8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 120pF @ 6V
puissance - max 1.25W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
package d'appareils du fournisseur SC-70-6
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Numéro de pièce associé

CSD75208W1015T
SCH1402-S-TL-E
SCH1402-S-TL-E
$0 $/morceau
PMZ370UNE,315
PMZ370UNE,315
$0 $/morceau
MIC5018BM4TR
DMC4050SSDQ-13
NTMFD6H846NLT1G
NTMFD6H846NLT1G
$0 $/morceau
SI4936CDY-T1-E3
MSCSM120AM042CT6LIAG

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