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SI2302CDS-T1-E3

SI2302CDS-T1-E3

SI2302CDS-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3

non conforme

SI2302CDS-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.11086 -
6,000 $0.10500 -
15,000 $0.09621 -
30,000 $0.09034 -
75,000 $0.08155 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.6A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 850mV @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 5.5 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 710mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
paquet / étui TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Numéro de pièce associé

STU7NM60N
STU7NM60N
$0 $/morceau
FDB8444-F085
FDB8444-F085
$0 $/morceau
PSMN1R5-40YSDX
IXFN26N120P
IXFN26N120P
$0 $/morceau
SQJA70EP-T1_GE3
PMV65UNER
PMV65UNER
$0 $/morceau
SFR9224TF
FCP16N60N
FCP16N60N
$0 $/morceau
SI2312-TP
SI2312-TP
$0 $/morceau

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