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SI2302DDS-T1-BE3

SI2302DDS-T1-BE3

SI2302DDS-T1-BE3

N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

compliant

SI2302DDS-T1-BE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.46000 $0.46
500 $0.4554 $227.7
1000 $0.4508 $450.8
1500 $0.4462 $669.3
2000 $0.4416 $883.2
2500 $0.437 $1092.5
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.6A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 850mV @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 5.5 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 710mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
paquet / étui TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Numéro de pièce associé

BSC0909NSATMA1
AUIRF1405ZS-7TRL
IPW60R060P7XKSA1
SIHD186N60EF-GE3
STF20N90K5
STF20N90K5
$0 $/morceau
FQPF19N20C
FQPF19N20C
$0 $/morceau
RRS040P03FRATB
SQA444CEJW-T1_GE3
SIHP38N60EF-GE3
NTGS3433T1G
NTGS3433T1G
$0 $/morceau

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