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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Active |
type de FET | P-Channel |
technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Tension drain-source (vdss) | 30 V |
courant - consommation continue (id) à 25°c | 2.7A (Tc) |
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 4.5V, 10V |
rds activé (max) à id, vgs | 190mOhm @ 1.9A, 10V |
vgs(th) (max) à id | 3V @ 250µA |
charge de porte (qg) (max) @ vgs | 8 nC @ 10 V |
vgs (max) | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 155 pF @ 15 V |
fonctionnalité FET | - |
puissance dissipée (max) | 1W (Ta), 2.3W (Tc) |
température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
type de montage | Surface Mount |
package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
paquet / étui | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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