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SI2333CDS-T1-GE3

SI2333CDS-T1-GE3

SI2333CDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3

compliant

SI2333CDS-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.19259 -
6,000 $0.18086 -
15,000 $0.16912 -
30,000 $0.16090 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 12 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7.1A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.8V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 25 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1225 pF @ 6 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
paquet / étui TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Numéro de pièce associé

VN2222LL-G-P013
TP2535N3-G
TP2535N3-G
$0 $/morceau
SIR416DP-T1-GE3
IXTN660N04T4
IXTN660N04T4
$0 $/morceau
IPB60R080P7ATMA1
IXTP34N65X2
IXTP34N65X2
$0 $/morceau
FDPF8N50NZ
FDPF8N50NZ
$0 $/morceau

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