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SI2343CDS-T1-GE3

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SI2343CDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3

non conforme

SI2343CDS-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.24368 -
6,000 $0.22883 -
15,000 $0.21398 -
30,000 $0.20358 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 5.9A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 45mOhm @ 4.2A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 590 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
paquet / étui TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Numéro de pièce associé

NTD4863NAT4G
NTD4863NAT4G
$0 $/morceau
FQPF85N06
FQPF85N06
$0 $/morceau
IXFP30N25X3M
IXFP30N25X3M
$0 $/morceau
FDD2572
FDD2572
$0 $/morceau
IPB180N08S402ATMA1
FQT4N20TF
RSJ250P10FRATL
CSD16323Q3
CSD16323Q3
$0 $/morceau
CSD16407Q5
CSD16407Q5
$0 $/morceau
DMN313DLT-7
DMN313DLT-7
$0 $/morceau

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