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SI3127DV-T1-GE3

SI3127DV-T1-GE3

SI3127DV-T1-GE3

MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP

compliant

SI3127DV-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.18772 -
6,000 $0.17628 -
15,000 $0.16484 -
30,000 $0.15683 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3.5A (Ta), 13A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 89mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 833 pF @ 20 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2W (Ta), 4.2W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 6-TSOP
paquet / étui SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Numéro de pièce associé

IRF840ASPBF
IRF840ASPBF
$0 $/morceau
PSMN4R8-100PSEQ
SI6415DQ-T1-E3
SI6415DQ-T1-E3
$0 $/morceau
STP25N10F7
STP25N10F7
$0 $/morceau
C3M0065090J-TR
C3M0065090J-TR
$0 $/morceau
2N7002Q-7-F
2N7002Q-7-F
$0 $/morceau
IPB072N15N3GATMA1
SSR2N60BTF
2SK1464
2SK1464
$0 $/morceau

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