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SI3447BDV-T1-GE3

SI3447BDV-T1-GE3

SI3447BDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 4.5A 6TSOP

compliant

SI3447BDV-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 12 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4.5A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.8V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 40mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 14 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.1W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 6-TSOP
paquet / étui SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Numéro de pièce associé

STF140N8F7
STF140N8F7
$0 $/morceau
IRLR3103TR
ZVN3306FTC
ZVN3306FTC
$0 $/morceau
IPD60R750E6BTMA1
AON6774
IRFSL23N20D
2SK3482-AZ
IRL1104STRL
EKI06108
EKI06108
$0 $/morceau

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