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SI3585DV-T1-E3

SI3585DV-T1-E3

SI3585DV-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

non conforme

SI3585DV-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2A, 1.5A
rds activé (max) à id, vgs 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 600mV @ 250µA (Min)
charge de porte (qg) (max) @ vgs 3.2nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 830mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
package d'appareils du fournisseur 6-TSOP
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Numéro de pièce associé

IRF7904PBF
IXTL2X240N055T
IXTL2X240N055T
$0 $/morceau
SI8904EDB-T2-E1
AON5810
SI4542DY
SI4542DY
$0 $/morceau
SH8M12TB1
SH8M12TB1
$0 $/morceau
IRF7304QTRPBF
SI7901EDN-T1-GE3
MP6M12TCR
MP6M12TCR
$0 $/morceau
VMM1000-01P
VMM1000-01P
$0 $/morceau

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