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SI3586DV-T1-E3

SI3586DV-T1-E3

SI3586DV-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP

non conforme

SI3586DV-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.9A, 2.1A
rds activé (max) à id, vgs 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 6nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 830mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
package d'appareils du fournisseur 6-TSOP
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Numéro de pièce associé

BSS138DW-7-F-79
BSL315PL6327HTSA1
SP8J5FU6TB
SP8J5FU6TB
$0 $/morceau
IRF7307PBF
BSS8402DW-7-G
SP8J2FU6TB
SP8J2FU6TB
$0 $/morceau
VEC2616-TL-H
VEC2616-TL-H
$0 $/morceau
SI1917EDH-T1-E3
SI1557DH-T1-E3
SI1557DH-T1-E3
$0 $/morceau

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