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SI4136DY-T1-GE3

SI4136DY-T1-GE3

SI4136DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 46A 8SO

compliant

SI4136DY-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.77080 -
5,000 $0.73461 -
12,500 $0.70876 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 46A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 2mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4560 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Numéro de pièce associé

CSD18502KCS
CSD18502KCS
$0 $/morceau
IXFA3N120-TRR
IXFA3N120-TRR
$0 $/morceau
FDS6630A
AO6400
FDD390N15A
FDD390N15A
$0 $/morceau
FDMA905P
FDMA905P
$0 $/morceau
IPN70R900P7SATMA1
SIR4602LDP-T1-RE3
IPP80N06S2L07AKSA2

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