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SI4166DY-T1-GE3

SI4166DY-T1-GE3

SI4166DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO

compliant

SI4166DY-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.68880 -
5,000 $0.65646 -
12,500 $0.63336 -
2495 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 30.5A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 3.9mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 65 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2730 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3W (Ta), 6.5W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Numéro de pièce associé

SIHP30N60AEL-GE3
PJL9413_R2_00001
FQD10N20LTM
FQD10N20LTM
$0 $/morceau
IXFH120N25T
IXFH120N25T
$0 $/morceau
SIR632DP-T1-RE3
NVMFS5C604NLWFAFT3G
NVMFS5C604NLWFAFT3G
$0 $/morceau
DMG2305UXQ-13
STD180N4F6
STD180N4F6
$0 $/morceau
SIA427DJ-T1-GE3
STL24N60M2
STL24N60M2
$0 $/morceau

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