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SI4286DY-T1-GE3

SI4286DY-T1-GE3

SI4286DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO

non conforme

SI4286DY-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.50840 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 40V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7A
rds activé (max) à id, vgs 32.5mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 10.5nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 375pF @ 20V
puissance - max 2.9W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

SP8M51TB1
SP8M51TB1
$0 $/morceau
SI4933DY-T1-E3
SI4933DY-T1-E3
$0 $/morceau
SI1028X-T1-GE3
SI1028X-T1-GE3
$0 $/morceau
SI7501DN-T1-GE3
IRF7343QTRPBF
SI3993DV-T1-GE3
AO7600_001
SP8M9TB
SP8M9TB
$0 $/morceau
NTJD4401NT1
NTJD4401NT1
$0 $/morceau
NDS9933
NDS9933
$0 $/morceau

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