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SI4288DY-T1-GE3

SI4288DY-T1-GE3

SI4288DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO

non conforme

SI4288DY-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.65600 -
5,000 $0.62520 -
12,500 $0.60320 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 40V
courant - consommation continue (id) à 25°c 9.2A
rds activé (max) à id, vgs 20mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 15nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 580pF @ 20V
puissance - max 3.1W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

NVMFD5C470NLT1G
NVMFD5C470NLT1G
$0 $/morceau
PJX8803_R1_00001
BSO220N03MDGXUMA1
BSZ0910NDXTMA1
SQS944ENW-T1_GE3
NTLJD2104PTAG
NTLJD2104PTAG
$0 $/morceau
CAB450M12XM3
CAB450M12XM3
$0 $/morceau
NVMFD5C446NT1G
NVMFD5C446NT1G
$0 $/morceau
DMN3024LSD-13

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