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SI4500BDY-T1-GE3

SI4500BDY-T1-GE3

SI4500BDY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC

compliant

SI4500BDY-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N and P-Channel, Common Drain
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.6A, 3.8A
rds activé (max) à id, vgs 20mOhm @ 9.1A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 17nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1.3W
température de fonctionnement -
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

NTQD4154ZR2
NTQD4154ZR2
$0 $/morceau
SI6966EDQ-T1-GE3
SI5935DC-T1-E3
SI5935DC-T1-E3
$0 $/morceau
ALD1108EPCL
SI7946DP-T1-E3
SI7946DP-T1-E3
$0 $/morceau
FC6943010R
IRF7752TR
IRF7752TR
$0 $/morceau
NTMFD4901NFT3G
NTMFD4901NFT3G
$0 $/morceau

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