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SI4501BDY-T1-GE3

SI4501BDY-T1-GE3

SI4501BDY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

non conforme

SI4501BDY-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.27120 -
5,000 $0.25360 -
12,500 $0.24480 -
25,000 $0.24000 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel, Common Drain
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V, 8V
courant - consommation continue (id) à 25°c 12A, 8A
rds activé (max) à id, vgs 17mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 25nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 805pF @ 15V
puissance - max 4.5W, 3.1W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

PJL9606_R2_00001
FDMS9408
NVMD6P02R2G
NVMD6P02R2G
$0 $/morceau
DMN3022LFG-7
BSC112N06LDATMA1
AON6812
DMP3056LSDQ-13
CSD87503Q3ET
CSD87503Q3ET
$0 $/morceau
ECH8667-TL-HX
ECH8667-TL-HX
$0 $/morceau

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