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SI4511DY-T1-E3

SI4511DY-T1-E3

SI4511DY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

non conforme

SI4511DY-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7.2A, 4.6A
rds activé (max) à id, vgs 14.5mOhm @ 9.6A, 10V
vgs(th) (max) à id 1.8V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 18nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1.1W
température de fonctionnement -
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

IRF7910PBF
SI1553DL-T1-E3
SI1553DL-T1-E3
$0 $/morceau
LN60A01EP-LF
SP8K24FU6TB
SP8K24FU6TB
$0 $/morceau
AON4807
DMP2100UCB9-7
NVMFD5485NLWFT3G
NVMFD5485NLWFT3G
$0 $/morceau
AO4818BL
IRF7509TR
IRF7509TR
$0 $/morceau

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