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SI4511DY-T1-GE3

SI4511DY-T1-GE3

SI4511DY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

non conforme

SI4511DY-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7.2A, 4.6A
rds activé (max) à id, vgs 14.5mOhm @ 9.6A, 10V
vgs(th) (max) à id 1.8V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 18nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1.1W
température de fonctionnement -
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

DMC1018UPD-13
SI6963BDQ-T1-E3
PSMN8R5-100ES
PSMN8R5-100ES
$0 $/morceau
SI4910DY-T1-E3
SI4910DY-T1-E3
$0 $/morceau
MSCMC90AM12C3AG
AO5804EL
SI4816DY-T1-GE3
NTMD6N04R2G
NTMD6N04R2G
$0 $/morceau
SI4967DY-T1-E3
SI4967DY-T1-E3
$0 $/morceau

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