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SI4559ADY-T1-GE3

SI4559ADY-T1-GE3

SI4559ADY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC

compliant

SI4559ADY-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.61041 -
5,000 $0.58175 -
12,500 $0.56128 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 5.3A, 3.9A
rds activé (max) à id, vgs 58mOhm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 20nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 665pF @ 15V
puissance - max 3.1W, 3.4W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

FD6M033N06
IAUC60N04S6L045HATMA1
NTZD5110NT1G
NTZD5110NT1G
$0 $/morceau
IRFH4253DTRPBF
AON6980
SQJ560EP-T1_BE3
DMN63D1LDW-7
ALD1106PBL

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