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SI4561DY-T1-E3

SI4561DY-T1-E3

SI4561DY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC

non conforme

SI4561DY-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 40V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.8A, 7.2A
rds activé (max) à id, vgs 35.5mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 20nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 640pF @ 20V
puissance - max 3W, 3.3W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

AO4822AL
SI6562DQ-T1-GE3
IRF5852
IRF5852
$0 $/morceau
SI1970DH-T1-GE3
FDD8426H
FDD8426H
$0 $/morceau
MCS8804-TP
MCS8804-TP
$0 $/morceau
FDS4559-F085
FDS4559-F085
$0 $/morceau
ZXMD63P03XTA

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