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SI4590DY-T1-GE3

SI4590DY-T1-GE3

SI4590DY-T1-GE3

MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL

compliant

SI4590DY-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.41019 -
5,000 $0.38357 -
12,500 $0.37026 -
25,000 $0.36300 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET -
Tension drain-source (vdss) 100V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3.4A, 2.8A
rds activé (max) à id, vgs 57mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 11.5nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 360pF @ 50V
puissance - max 2.4W, 3.4W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

SQJB00EP-T1_BE3
EM6J1T2R
EM6J1T2R
$0 $/morceau
EPC2221
EPC2221
$0 $/morceau
MSCSM70AM19CT1AG
DMP2110UFDB-13
RF3S49092SM9A
PMDPB95XNE2X
PMDPB95XNE2X
$0 $/morceau
AO4611
NX138AKSF
NX138AKSF
$0 $/morceau

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