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SI4618DY-T1-GE3

SI4618DY-T1-GE3

SI4618DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

compliant

SI4618DY-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8A, 15.2A
rds activé (max) à id, vgs 17mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 44nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1535pF @ 15V
puissance - max 1.98W, 4.16W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

AUIRF7342Q
UP04979G0L
SI5903DC-T1-GE3
ZXMD63N03XTC
SI6933DQ-T1-GE3
APTMC120AM55CT1AG
FDS6961A_F011
FDS6961A_F011
$0 $/morceau
FDS8935
FDS8935
$0 $/morceau
XP0187800L

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