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SI4814BDY-T1-E3

SI4814BDY-T1-E3

SI4814BDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

compliant

SI4814BDY-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 10A, 10.5A
rds activé (max) à id, vgs 18mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 10nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 3.3W, 3.5W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

NDS8961
NDS8961
$0 $/morceau
SI4933DY-T1-GE3
FDW2501NZ
NDS9955
NDS9955
$0 $/morceau
MRF6V2300NR5578
MRF6V2300NR5578
$0 $/morceau
ALD111910PAL
APTC80DSK29T3G
FF4MR12KM1H
EFC6617R-TF
EFC6617R-TF
$0 $/morceau

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