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SI4816DY-T1-E3

SI4816DY-T1-E3

SI4816DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

compliant

SI4816DY-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 5.3A, 7.7A
rds activé (max) à id, vgs 22mOhm @ 6.3A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 12nC @ 5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1W, 1.25W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

BSO303PNTMA1
SI4340DY-T1-E3
SI4340DY-T1-E3
$0 $/morceau
SI4834CDY-T1-GE3
IRF9956PBF
AON5802A
ZXMN10A08DN8TC
FDD8424H-F085A
EMH2407-S-TL-HX
EMH2407-S-TL-HX
$0 $/morceau
PHKD13N03LT,118

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