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SI4818DY-T1-GE3

SI4818DY-T1-GE3

SI4818DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

non conforme

SI4818DY-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 5.3A, 7A
rds activé (max) à id, vgs 22mOhm @ 6.3A, 10V
vgs(th) (max) à id 800mV @ 250µA (Min)
charge de porte (qg) (max) @ vgs 12nC @ 5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1W, 1.25W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

IRF7103Q
IRF7103Q
$0 $/morceau
MMDF2N02ER2G
MMDF2N02ER2G
$0 $/morceau
SI5905BDC-T1-GE3
BSL214NH6327XTSA1
ZXMD63C02XTC
FDS4895C
SSD2025TF
FDS8958B_G
FDS8958B_G
$0 $/morceau
2N7002DWA-7
2N7002DWA-7
$0 $/morceau
IRF7907PBF

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