Welcome to ichome.com!

logo
Maison

SI4900DY-T1-GE3

SI4900DY-T1-GE3

SI4900DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

non conforme

SI4900DY-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.55440 -
5,000 $0.52668 -
12,500 $0.50688 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 5.3A
rds activé (max) à id, vgs 58mOhm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 20nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 665pF @ 15V
puissance - max 3.1W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
Le chargement du PDF a échoué, vous pouvez essayer de l'ouvrir dans une nouvelle fenêtre pour y accéder [Ouvrir], ou cliquez pour revenir

Numéro de pièce associé

FDMB3900AN
FDMB3900AN
$0 $/morceau
DMN61D8LVT-7
SI6955DQ
PMPB215ENEA/F,115
FDS8958A
FDS8958A
$0 $/morceau
DMP2100UFU-13
DMG6301UDW-7
ALD114904ASAL
FDG6321C
FDG6321C
$0 $/morceau
PJQ5848_R2_00001

Votre partenaire fiable en électronique

Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.