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SI4909DY-T1-GE3

SI4909DY-T1-GE3

SI4909DY-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO

non conforme

SI4909DY-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.49200 -
5,000 $0.46890 -
12,500 $0.45240 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 P-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 40V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8A
rds activé (max) à id, vgs 27mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 63nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2000pF @ 20V
puissance - max 3.2W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

DMP2040UND-7
SI1539CDL-T1-BE3
FDMS3660S
FDMS3660S
$0 $/morceau
FW216A-TL-2W
FW216A-TL-2W
$0 $/morceau
DMG6968UTS-13
SQJQ900E-T1_GE3
BUK9K134-100EX
NTLUD3A260PZTAG
NTLUD3A260PZTAG
$0 $/morceau
APTM120H140FT1G
TC1550TG-G
TC1550TG-G
$0 $/morceau

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