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SI4922BDY-T1-GE3

SI4922BDY-T1-GE3

SI4922BDY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

compliant

SI4922BDY-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.84005 -
5,000 $0.81090 -
12,500 $0.79500 -
5000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8A
rds activé (max) à id, vgs 16mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) à id 1.8V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 62nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2070pF @ 15V
puissance - max 3.1W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

RF1K4909396
SI4670DY-T1-GE3
AUIRF7379QTR
NVMFD6H846NLT1G
NVMFD6H846NLT1G
$0 $/morceau
DI048N04PQ2-AQ
MSCSM120TAM16CTPAG
IPG20N06S2L35AATMA1
IPA50R350CP

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