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SI4931DY-T1-GE3

SI4931DY-T1-GE3

SI4931DY-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC

compliant

SI4931DY-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.47921 -
5,000 $0.45671 -
12,500 $0.44064 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 P-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 12V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.7A
rds activé (max) à id, vgs 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 350µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 52nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1.1W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

NVMFD5C466NLT1G
NVMFD5C466NLT1G
$0 $/morceau
UT6JA3TCR
UT6JA3TCR
$0 $/morceau
QH8KA1TCR
QH8KA1TCR
$0 $/morceau
FDMA1028NZ-F021
FDMA1028NZ-F021
$0 $/morceau
DMP4050SSDQ-13
SQJB42EP-T1_GE3
QH8KC6TCR
QH8KC6TCR
$0 $/morceau
CSD87352Q5D
CSD87352Q5D
$0 $/morceau
SMA5117
SMA5117
$0 $/morceau
SP8J5FRATB
SP8J5FRATB
$0 $/morceau

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