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SI4932DY-T1-GE3

SI4932DY-T1-GE3

SI4932DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

non conforme

SI4932DY-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.66420 -
5,000 $0.63302 -
12,500 $0.61074 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8A
rds activé (max) à id, vgs 15mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 48nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1750pF @ 15V
puissance - max 3.2W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

ALD310708PCL
DMP2040USD-13
SQJB60EP-T1_GE3
BSS8402DW-7-F
ALD114935SAL
IPG16N10S4L61AATMA1
APTM50AM24SG
DMP3036SSD-13
PJL9602_R2_00001

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