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SI4936BDY-T1-E3

SI4936BDY-T1-E3

SI4936BDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

non conforme

SI4936BDY-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.36159 -
5,000 $0.33665 -
12,500 $0.32418 -
25,000 $0.31738 -
307 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.9A
rds activé (max) à id, vgs 35mOhm @ 5.9A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 15nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 530pF @ 15V
puissance - max 2.8W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

DMC1229UFDB-7
ALD210800SCL
DMN33D9LV-13A
DMC1030UFDB-7
NTMD3P03R2
NTMD3P03R2
$0 $/morceau
PMDXB1200UPEZ
PMDXB1200UPEZ
$0 $/morceau
ZXMP6A17DN8TA
BSO203PHXUMA1

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