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SI4943BDY-T1-GE3

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SI4943BDY-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC

non conforme

SI4943BDY-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 P-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.3A
rds activé (max) à id, vgs 19mOhm @ 8.4A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 25nC @ 5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1.1W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

SI4940DY-T1-GE3
AUIRF7319QTR
IRF7309PBF
BSO303PHXUMA1
SI6973DQ-T1-E3
SI6973DQ-T1-E3
$0 $/morceau
SP8K3FU6TB
SP8K3FU6TB
$0 $/morceau
2N7002KDWA-TP
AO4606L
AON6934A
SIA922EDJ-T1-GE3

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