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SI4952DY-T1-GE3

SI4952DY-T1-GE3

SI4952DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

non conforme

SI4952DY-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 25V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8A
rds activé (max) à id, vgs 23mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 18nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 680pF @ 13V
puissance - max 2.8W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

IRF7751TR
IRF7751TR
$0 $/morceau
2N7002PS/ZLH
2N7002PS/ZLH
$0 $/morceau
STS5DP3LLH6
STS5DP3LLH6
$0 $/morceau
DMC2400UV
DMC2400UV
$0 $/morceau
IRF7324
IRF7324
$0 $/morceau
SP8M2FU6TB
SP8M2FU6TB
$0 $/morceau
2N7002VA-7-F
IRF7750
IRF7750
$0 $/morceau
FDMD8540L
FDMD8540L
$0 $/morceau
SI5933CDC-T1-GE3

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