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SI4967DY-T1-GE3

SI4967DY-T1-GE3

SI4967DY-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

non conforme

SI4967DY-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 P-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 12V
courant - consommation continue (id) à 25°c -
rds activé (max) à id, vgs 23mOhm @ 7.5A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 450mV @ 250µA (Min)
charge de porte (qg) (max) @ vgs 55nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 2W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

SIA936EDJ-T1-GE3
BSS84V-7-79
BSS84V-7-79
$0 $/morceau
IRF7756GTRPBF
SI6544BDQ-T1-GE3
ZVN4206NTA
ZVN4206NTA
$0 $/morceau
SI5943DU-T1-GE3
HIP2100IBTS2075
HIP2100IBTS2075
$0 $/morceau
FDC6036P
FDC6036P
$0 $/morceau

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