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SI5509DC-T1-E3

SI5509DC-T1-E3

SI5509DC-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

compliant

SI5509DC-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.1A, 4.8A
rds activé (max) à id, vgs 52mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 6.6nC @ 5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 455pF @ 10V
puissance - max 4.5W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SMD, Flat Lead
package d'appareils du fournisseur 1206-8 ChipFET™
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Numéro de pièce associé

SI5517DU-T1-E3
SI5517DU-T1-E3
$0 $/morceau
SQ9945AEY-T1-E3
IRF7325TRPBF
IPI60R165CP
PMWD20XN,118
PMWD20XN,118
$0 $/morceau
EPC2102ENGRT
EPC2102ENGRT
$0 $/morceau
SI4501ADY-T1-GE3
SI5999EDU-T1-GE3
SI3948DV-T1-GE3

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