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SI5515CDC-T1-GE3

SI5515CDC-T1-GE3

SI5515CDC-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

compliant

SI5515CDC-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.35595 -
6,000 $0.33285 -
15,000 $0.32130 -
30,000 $0.31500 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4A
rds activé (max) à id, vgs 36mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 800mV @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 11.3nC @ 5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 632pF @ 10V
puissance - max 3.1W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SMD, Flat Lead
package d'appareils du fournisseur 1206-8 ChipFET™
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Numéro de pièce associé

DMP3028LSD-13
MSCSM70VM10C4AG
NTHD4502NT1G
NTHD4502NT1G
$0 $/morceau
ALD1107SBL
DMC1028UVT-7
FDPC8014S
FDPC8014S
$0 $/morceau
MMDF2P02ER2G
MMDF2P02ER2G
$0 $/morceau
SQJ992EP-T1_BE3
CSD87588N
CSD87588N
$0 $/morceau
DMN53D0LV-7
DMN53D0LV-7
$0 $/morceau

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