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SI5902BDC-T1-E3

SI5902BDC-T1-E3

SI5902BDC-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

compliant

SI5902BDC-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.62320 -
6,000 $0.59394 -
15,000 $0.57304 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 65mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 7nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 220pF @ 15V
puissance - max 3.12W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SMD, Flat Lead
package d'appareils du fournisseur 1206-8 ChipFET™
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Numéro de pièce associé

MIC4426CMTR
SQJ208EP-T1_GE3
NVMFD5485NLT1G
NVMFD5485NLT1G
$0 $/morceau
AO4862
DMC2025UFDBQ-7
NTTFD9D0N06HLTWG
NTTFD9D0N06HLTWG
$0 $/morceau
SI1902DL-T1-BE3
AO6601
AON7934
BSM180D12P3C007

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