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SI5908DC-T1-GE3

SI5908DC-T1-GE3

SI5908DC-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

compliant

SI5908DC-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.65600 -
6,000 $0.62520 -
15,000 $0.60320 -
6000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4.4A
rds activé (max) à id, vgs 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 7.5nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1.1W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SMD, Flat Lead
package d'appareils du fournisseur 1206-8 ChipFET™
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Numéro de pièce associé

CSD88599Q5DC
CSD88599Q5DC
$0 $/morceau
MCH6604-TL-E
MCH6604-TL-E
$0 $/morceau
FDY2000PZ
DMN3055LFDBQ-13
FS45MR12W1M1B11BOMA1
AO4884
UM6K31NFHATCN
PHKD13N03LT,518
PHKD13N03LT,518
$0 $/morceau
2SK2725-E

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