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SI5915BDC-T1-GE3

SI5915BDC-T1-GE3

SI5915BDC-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

compliant

SI5915BDC-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 P-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 8V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4A
rds activé (max) à id, vgs 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 14nC @ 8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 420pF @ 4V
puissance - max 3.1W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SMD, Flat Lead
package d'appareils du fournisseur 1206-8 ChipFET™
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Numéro de pièce associé

AUIRF9952QTR
IPG20N06S3L-23
SH8K2TB1
SH8K2TB1
$0 $/morceau
SI1539DL-T1-E3
SI1539DL-T1-E3
$0 $/morceau
SI6966DQ-T1-GE3
SI4563DY-T1-GE3
AUIRF7313Q
AO4806L
SI7945DP-T1-E3
SI7945DP-T1-E3
$0 $/morceau

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