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SI5935DC-T1-GE3

SI5935DC-T1-GE3

SI5935DC-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8

non conforme

SI5935DC-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 P-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3A
rds activé (max) à id, vgs 86mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 8.5nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1.1W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SMD, Flat Lead
package d'appareils du fournisseur 1206-8 ChipFET™
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Numéro de pièce associé

SI6967DQ-T1-E3
SI6967DQ-T1-E3
$0 $/morceau
IRF7338TRPBF
PMV50ENEA,215
PMV50ENEA,215
$0 $/morceau
SI6983DQ-T1-E3
SI6983DQ-T1-E3
$0 $/morceau
SI6975DQ-T1-GE3
DMN5L06VK-13
AO4952
SI1539DDL-T1-GE3
AUIRF9952Q
FDS8928A

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