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SI6410DQ-T1-GE3

SI6410DQ-T1-GE3

SI6410DQ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 8TSSOP

compliant

SI6410DQ-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7.8A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 14mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA (Min)
charge de porte (qg) (max) @ vgs 33 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.5W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-TSSOP
paquet / étui 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
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Numéro de pièce associé

SI4410BDY-T1-E3
IRF1405SPBF
SI7411DN-T1-GE3
DMPH6050SK3Q-13
STP8NM50FP
STP8NM50FP
$0 $/morceau
IPP147N03L G
IRFZ46ZSPBF
IXTY2N60P
IXTY2N60P
$0 $/morceau

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