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SI6562CDQ-T1-GE3

SI6562CDQ-T1-GE3

SI6562CDQ-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP

compliant

SI6562CDQ-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.48380 -
6,000 $0.46109 -
15,000 $0.44486 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.7A, 6.1A
rds activé (max) à id, vgs 22mOhm @ 5.7A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 23nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 850pF @ 10V
puissance - max 1.6W, 1.7W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-TSSOP
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Numéro de pièce associé

SI3900DV-T1-E3
SI3900DV-T1-E3
$0 $/morceau
PJQ4848P_R2_00001
AOSD21313C
AOC2870
PJQ5846_R2_00001
EMH2408-TL-H
EMH2408-TL-H
$0 $/morceau
SQ3585EV-T1_GE3
SQ9945BEY-T1_BE3
2N7002DWQ-13-F
NTHD5903T1G
NTHD5903T1G
$0 $/morceau

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